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常見(jiàn)的內(nèi)存種類篇一
最近,有讀者來(lái)信詢問(wèn)內(nèi)存的相關(guān)問(wèn)題,如自己機(jī)器用的內(nèi)存,想了解一下內(nèi)存的相關(guān)知識(shí)。下面小編就讀者的一些常見(jiàn)問(wèn)題做如下解答。
bank是指內(nèi)存插槽的計(jì)算單位(也有人稱為記憶庫(kù))，它是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)與內(nèi)存間資料匯流的基本運(yùn)作單位。
內(nèi)存的速度是以每筆cpu與內(nèi)存間數(shù)據(jù)處理耗費(fèi)的時(shí)間來(lái)計(jì)算，為總線循環(huán)(bus cycle)以奈秒(ns)為單位。
內(nèi)存模塊 (memory module)：提到內(nèi)存模塊是指一個(gè)印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個(gè)記憶體芯片chips，而這內(nèi)存芯片通常是 dram芯片，但近來(lái)系統(tǒng)設(shè)計(jì)也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在pc 的主機(jī)板上的專用插槽(slot)上鑲嵌在module上 dram芯片(chips)的數(shù)量和個(gè)別芯片(chips)的容量，是決定內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)的主要因素。
simm (single in-line memory module)：電路板上面焊有數(shù)目不等的記憶ic，可分為以下2種型態(tài)：
72腳位的單面內(nèi)存模塊是用來(lái)支持32位的數(shù)據(jù)處理量。
30腳位的單面內(nèi)存模塊是用來(lái)支持8位的數(shù)據(jù)處理量。
dimm (dual in-line memory module)：(168pin) 用來(lái)支持64位或是更寬的總線，而且只用3.3伏特的電壓，通常用在64位的桌上型計(jì)算機(jī)或是服務(wù)器。
rimm模塊是下一世代的內(nèi)存模塊主要規(guī)格之一，它是intel公司于1999年推出芯片組所支持的內(nèi)存模塊，其頻寬高達(dá)1.6gbyte/sec。
so-dimm (small outline dual in-line memory module) (144pin)： 這是一種改良型的dimm模塊，比一般的dimm模塊來(lái)得小，應(yīng)用于筆記型計(jì)算機(jī)、列表機(jī)、傳真機(jī)或是各種終端機(jī)等。
為鎖相回路,用來(lái)統(tǒng)一整合時(shí)脈訊號(hào),使內(nèi)存能正確的存取資料。
rambus 內(nèi)存模塊 (184pin)： 采用direct rdram的內(nèi)存模塊，稱之為rimm模塊，該模塊有184pin腳，資料的輸出方式為串行，與現(xiàn)行使用的dimm模塊168pin，并列輸出的架構(gòu)有很大的差異。
6層板和4層板(6 layers v.s. 4 layers)： 指的是電路印刷板pcb printed circuit board 用6層或4層的玻璃纖維做成，通常sdram會(huì)使用6層板，雖然會(huì)增加pcb的成本但卻可免除噪聲的干擾，而4層板雖可降低pcb的成本但效能較差。
是緩存器的意思,其功能是能夠在高速下達(dá)到同步的目的。
spd：為serial presence detect 的縮寫(xiě)，它是燒錄在eeprom內(nèi)的碼，以往開(kāi)機(jī)時(shí)bios必須偵測(cè)memory，但有了spd就不必再去作偵測(cè)的`動(dòng)作，而由bios直接讀取 spd取得內(nèi)存的相關(guān)資料。
parity和ecc的比較：同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯(cuò)碼 (error detection codes)上，他們?cè)黾右粋€(gè)檢查位給每個(gè)資料的字元(或字節(jié))，并且能夠偵測(cè)到一個(gè)字符中所有奇(偶)同位的錯(cuò)誤，但parity有一個(gè)缺點(diǎn)，當(dāng)計(jì)算機(jī)查到某個(gè)byte有錯(cuò)誤時(shí)，并不能確定錯(cuò)誤在哪一個(gè)位，也就無(wú)法修正錯(cuò)誤。
有緩沖器的dimm 是用來(lái)改善時(shí)序(timing)問(wèn)題的一種方法無(wú)緩沖器的dimm雖然可被設(shè)計(jì)用于系統(tǒng)上，但它只能支援四條dimm。若將無(wú)緩沖器的dimm用于速度為100mhz的主機(jī)板上的話，將會(huì)有存取不良的影響。而有緩沖器的dimm則可使用四條以上的內(nèi)存，但是若使用的緩沖器速度不夠快的話會(huì)影響其執(zhí)行效果。換言之，有緩沖器的dimm雖有速度變慢之虞，但它可以支持更多dimm的使用。
dram內(nèi)部具有獨(dú)立且內(nèi)建的充電電路于一定時(shí)間內(nèi)做自我充電， 通常用在筆記型計(jì)算機(jī)或可攜式計(jì)算機(jī)等的省電需求高的計(jì)算機(jī)。
通常簡(jiǎn)稱cl。例如cl=3，表示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)自主存儲(chǔ)器讀取第一筆資料時(shí)，所需的準(zhǔn)備時(shí)間為3個(gè)外部時(shí)脈 (system clock)。cl2與cl3的差異僅在第一次讀取資料所需準(zhǔn)備時(shí)間，相差一個(gè)時(shí)脈，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效能并無(wú)顯著影響。
時(shí)鐘信號(hào)是提供給同步內(nèi)存做訊號(hào)同步之用，同步記憶體的存取動(dòng)作必需與時(shí)鐘信號(hào)同步。
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