實(shí)驗(yàn)五顏六色的菜葉 實(shí)驗(yàn)班提優(yōu)大考卷答案匯總

每個(gè)人都曾試圖在平淡的學(xué)習(xí)、工作和生活中寫(xiě)一篇文章。寫(xiě)作是培養(yǎng)人的觀察、聯(lián)想、想象、思維和記憶的重要手段。寫(xiě)范文的時(shí)候需要注意什么呢？有哪些格式需要注意呢？以下是我為大家搜集的優(yōu)質(zhì)范文，僅供參考，一起來(lái)看看吧

實(shí)驗(yàn)五顏六色的菜葉 實(shí)驗(yàn)班提優(yōu)大考卷答案篇一

創(chuàng)建輻射貼片 在介質(zhì)基片的上表面創(chuàng)建一個(gè)中心位于坐標(biāo)原點(diǎn),長(zhǎng)、寬分別用變量 l0 和 w0 表 示的矩形面,并將其命名為 patch。

創(chuàng)建參考地 在介質(zhì)基片的底面創(chuàng)建一個(gè)中心位于坐標(biāo)原點(diǎn),大小與介質(zhì)基片的底面相同的矩 形面,即該矩形面的長(zhǎng)度和寬度分別為 2*l0 和 2*w0,并將其命名為 gnd。

創(chuàng)建同軸饋線(xiàn)的內(nèi)芯 創(chuàng)建一個(gè)圓柱體作為同軸饋線(xiàn)的內(nèi)芯,圓柱體的半徑為 0.6mm,長(zhǎng) 度 為 h ,圓 柱 體底部圓心坐標(biāo)為（l1,0,0),材質(zhì)為理想導(dǎo)體,并將同軸饋線(xiàn)命名為 feed。

創(chuàng)建信號(hào)傳輸端口面 同軸饋線(xiàn)需要穿過(guò)參考地面來(lái)傳輸信號(hào)能量。因此,需要在參考地面gnd上開(kāi)一個(gè)圓孔允許能量傳輸。首先在參考地面gnd上創(chuàng)建一個(gè)半徑為1.5mm、圓心坐標(biāo)為(l1,0,0)的圓面,并將其命名為 pot。然后再執(zhí)行相減操作,使用參考地面 gnd 減去圓面 pot,從而在參考地面 gnd 上開(kāi)出一個(gè)圓孔。

①創(chuàng)建圓面 port。

從主菜單欄中選擇【dmw】—[circle]命令,進(jìn)入創(chuàng)建圓面的狀態(tài),在三維模型窗口中創(chuàng)建一個(gè)任意大小的圓面。新建的圓柱體會(huì)添 加到操作歷史樹(shù)的 sheets 節(jié)點(diǎn)下,其默認(rèn)的名稱(chēng)為 circle1。

②使用相減操作在參考地面挖一個(gè)圓孔。

按住 ctrl 鍵的同時(shí)分別單擊操作歷史樹(shù) sheets 節(jié)點(diǎn)下的 gnd 和 port 選項(xiàng),選中這 兩個(gè)平面。然后從主菜單欄中選擇【modeler】-【boolean】-【substrate】 命令,或者單擊工具欄上的 e3 按鈕,打開(kāi) subtract 對(duì)話(huà)框。確認(rèn)對(duì)話(huà)框中的 blank parts 列表框中顯示的是 gnd,tool parts 列表框中顯示的是pot,表明使用參考 地模型 gnd 減去圓面模型 pot。同時(shí),為了保留圓面 pot,需要選中對(duì)話(huà)框中的 clone tool objects before operation 復(fù)選框。最后單擊 ok 按鈕,執(zhí)行相減操作,即可。

3、設(shè)置邊界條件(1）設(shè)置理想邊界條件 把輻射貼片 patch 和參考地 gnd 設(shè)置為理想導(dǎo)體邊界 選中平面模型 patch,然后單擊鼠標(biāo)右鍵,在彈出的快捷菜單中選擇【assign boundary】-【perfect e】命令,打開(kāi)理想導(dǎo)體邊界條件設(shè)置對(duì)話(huà)框,在該對(duì)話(huà)框中保留默認(rèn)設(shè)置不變,直接單擊按鈕,即可設(shè)置平面 patch 為理 想導(dǎo)體邊界條件。理想導(dǎo)體邊界條件的默認(rèn)名稱(chēng) perffi1 會(huì) 自 動(dòng) 添 加 到 工 程 樹(shù) 的 boundaries 節(jié)點(diǎn)下。此時(shí),平面 patch 等效于一個(gè)理想導(dǎo)體面。

（2）設(shè)置輻射邊界條件 在 hfss 中輻射邊界表面距離輻射體通常需要不小于 1/4 個(gè)工作波長(zhǎng),在 2.45ghz 工作頻率下的 1/4 個(gè)工作波長(zhǎng)為 30mm,設(shè)計(jì)中我們定義了變量 實(shí)驗(yàn)五：同軸饋電矩形微帶天線(xiàn)設(shè)計(jì) 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 1、學(xué)習(xí)在 ansoft hfss 軟件中仿真設(shè)計(jì),熟練掌握仿真環(huán)境。

2、學(xué)習(xí)同軸饋電矩形微帶天線(xiàn)的原理,設(shè)計(jì)出同軸饋電矩形微帶天線(xiàn)的模型。

3、仿真分析,給出天線(xiàn)的各項(xiàng)性能參數(shù)。

二、實(shí)驗(yàn)原理 矩形微帶天線(xiàn)的 hfss 設(shè)計(jì)模型如圖 1 所示。模型的中心位于坐標(biāo)原點(diǎn),輻射 貼片的長(zhǎng)度方向是沿著 x 軸方向,寬度方向是沿著 y 軸方向。介質(zhì)基片的大小是輻射貼片的 2 倍,參考地和輻射貼片使用理想薄導(dǎo)體來(lái)代替,在 hfss 中通過(guò)給一個(gè)二維平面模型分配理想導(dǎo)體邊界條件的方式來(lái)模擬理想薄導(dǎo)體。因?yàn)槭褂?50ohm 同軸線(xiàn)饋電,所以這里使用半徑為 0.6mm、材質(zhì)為理想導(dǎo)體（pec)的圓柱體模型來(lái)模擬同軸 饋線(xiàn)的內(nèi)芯。圓柱體與 z 軸平行放置,其底面圓心坐標(biāo)為(l1,0,0)。圓柱體頂部與輻 射貼片相接,底部與參考地相接,則其高度為 h。在與圓柱體相接的參考地面上需要 挖出一個(gè)半徑為 1.5mm 的圓孔,將其作為信號(hào)輸入輸出端口,該端口的激勵(lì)方式設(shè)置為集總端口激勵(lì),端口歸一化阻抗為 50ohm。

length 來(lái)表示 1/4 個(gè)工作 波長(zhǎng)。在這里首先創(chuàng)建一個(gè)長(zhǎng)方體模型,長(zhǎng)方體的底面和介質(zhì)基片底面距離 10mm,其他 表面和輻射貼片的距離為 1/4 個(gè)工作波長(zhǎng),然后再把該長(zhǎng)方體的表面設(shè)置為輻射邊界。

4、設(shè)置端口激勵(lì) 因?yàn)橥S線(xiàn)饋電端口在設(shè)計(jì)模型的內(nèi)部,所以需要使用集總端口激勵(lì)。在設(shè)計(jì)中, 我們可以把端口平面 pot 設(shè)置集總端口激勵(lì),端口阻抗設(shè)置為 50ohm。

5、求解設(shè)置(1)求解頻率和網(wǎng)格剖分設(shè)置 設(shè)置求解頻率為 2.45ghz,自 適 應(yīng) 網(wǎng) 格 剖 分 的 最 大 迭 代 次 數(shù) 為 20,收 斂 誤 差 為 0.02。

（2）掃頻設(shè)置 掃頻類(lèi)型選擇快速掃頻,掃頻頻率范圍 1.5ghz-3.5ghz,頻率步進(jìn)為 0.01ghz。

展開(kāi)工程樹(shù)下的 analysis 節(jié)點(diǎn),右鍵單擊新添加的求解設(shè)置項(xiàng)setup1,在 彈 出 的 快捷菜單中選擇【add frequency sweep】命令,打開(kāi) edit sweep 對(duì)話(huà)框。

6、設(shè)計(jì)模型圖 7、設(shè)計(jì)檢查和仿真運(yùn)行結(jié)果 菜單欄中選擇【hfss】-?【validation check】 四、運(yùn)行結(jié)果 1、s11 的掃頻結(jié)果

2、s11 隨 l1 的變化的變化曲線(xiàn) 3、輸入阻抗實(shí)部與虛部與饋電點(diǎn)位置的變化關(guān)系 4、smith 圓圖上的顯示

5、優(yōu)化后 s11 掃頻特性曲線(xiàn) 6、s11 的 smith 圓圖 7、xz 和 yz 面上的方向增益圖

五、實(shí)驗(yàn)

總結(jié)

科教興國(guó)

c,,實(shí)驗(yàn)五

五上實(shí)驗(yàn)

專(zhuān)題五,電學(xué)實(shí)驗(yàn)（吳）

廈門(mén)大學(xué)電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)——實(shí)驗(yàn)五

實(shí)驗(yàn)四-五(實(shí)驗(yàn)報(bào)告)

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